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IXFR 64N60P
100
90
80
70
Fig. 7. Input Admittance
130
120
110
100
90
Fig. 8. Transconductance
60
80
T J = - 40oC
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
70
60
50
40
30
20
10
0
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
120
100
80
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 32A
I G = 10mA
60
T J = 125oC
4
40
20
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
R DS(on) Limit
100
25μs
1,000
100
C oss
C rss
10
DC
100μs
1ms
10ms
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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